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BB电子官方网站专利金奖项目1:一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法

类别:行业新闻   发布时间:2024-06-26 15:44:19   浏览:

  

BB电子官方网站专利金奖项目1:一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法

  第三代半导体产业是现代社会发展的基石,在光电子BB电子官方网站、大功率器件和高频微波器件等应用方面有着广阔的前景,但随之而来的热效应却严重制约其性能,热量堆积无法迅速消散导致部分器件性能仅能发挥10%,影响器件稳定性。

  本专利针对半导体“热点”问题,创造性地采用高导热高绝缘金刚石散热,解决了金刚石浸润性差难以直接与半导体晶圆连接的问题,为热流疏散创造新通路,实现超高热流密度组件高效散热,器件功率密度显著提升,有效提升其性能、寿命及稳定性,助力第三代半导体的推广应用。

  目前,获奖专利已成功应用于GaN基雷达组件、智能芯片等高热流应用场景,市场前景广阔。并与相关单位进行产学研联合开发,实现了本发明专利成果的产出,加快了本发明专利的产业化进程,也为新一代金刚石材料产业高质量发展奠定基础。

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